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4.8A内置MOS降压方案选型,CX8576耐压30V/40V的区别在哪里?
September 09, 2022

4.8A内置MOS降压方案选型,CX8576耐压30V/40V的区别在哪里?

有客户选型内置MOS电流4.8A小体积DC-DC降压芯片用哪款?

建议选用CX8576,这是一颗双路限流内置双NMOS,4.8电流的高性价比DC-DC,适用于小体积车载充电器及其他充电设备用于双路降压功能。

当把选型表发给客户之后,客户看到CX8576有两个版本,会问起,CX8576耐压30V/40V的区别在哪里?这两款有哪些区别之处?

30V与 40V区别在于:

1、30V / 40V耐压不同

2、内置双NMOS,MOS内阻不同

30V 内置10mΩ High-side NMOS +10mΩ Low-side NMOS

40V 内置15mΩ High-side NMOS +12mΩ Low-side NMOS

3、输出电压电流可设30V(2.5V-20V)/40V(3.0V-20V)

4、30V 4脚EN脚/40V NC悬空

5、短路反馈电压不同30V 0.4V/  40V 0.6V

6、30V开关频率可调

需求电压40V,2个USB口,4A电流且QC3.0快充的DC-DC方案建议选用CX8576+CX601是套极高性价比DC-DC电源快充降压方案。

原厂可提供CX8576样品申请,CX8576方案开发与技术支持!

CX8576可搭配QC协议或PD协议构成高性价比QC/PD快充整体解决方案,详情可向原厂申领样品与DEMO测试。

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