低成本VS3622DE中低压MOS供应,CX3622DE样品申请

日期: 2019-09-21
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CX3622DE,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET。提供CX3622DE规格书,CX3622DE样品申请与技术支持!

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【中低压MOS供应】可替代VS3622DE低成本MOS管——CX3622DE,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET。

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CX3622DE特征:

双N通道,5V逻辑电平控制

增强模式

低导通电阻R DS(on)@ V GS = 4.5 V.

快速切换

100%雪崩测试

无铅铅电镀; 符合RoHS标准

CX3622DE采用PDFN3333封装,CX3622DE双NMOS,主要用于无线充电线圈驱动。

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