CX3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET。提供CX3622DE规格书，CX3622DE样品申请与技术支持！
【中低压MOS供应】可替代VS3622DE低成本MOS管——CX3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET。
提供CX3622DE规格书，CX3622DE样品申请与技术支持！
CX3622DE特征：
双N通道，5V逻辑电平控制
增强模式
低导通电阻R DS（on）@ V GS = 4.5 V.
快速切换
100％雪崩测试
无铅铅电镀; 符合RoHS标准
CX3622DE采用PDFN3333封装，CX3622DE双NMOS，主要用于无线充电线圈驱动。