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低成本VS3622DE中低压MOS供应，CX3622DE样品申请

日期： 2019-09-21

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CX3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET。提供CX3622DE规格书，CX3622DE样品申请与技术支持！

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【中低压MOS供应】可替代VS3622DE低成本MOS管——CX3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET。

提供CX3622DE规格书，CX3622DE样品申请与技术支持！

CX3622DE特征：

双N通道，5V逻辑电平控制

增强模式

低导通电阻R DS（on）@ V GS = 4.5 V.

快速切换

100％雪崩测试

无铅铅电镀; 符合RoHS标准

CX3622DE采用PDFN3333封装，CX3622DE双NMOS，主要用于无线充电线圈驱动。

低成本VS3622DE中低压MOS供应，CX3622DE样品申请

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