产品名称:

CX7509

工作模式: 六级能效
推荐功率范围: 18W
常用规格: 9V2A
封装: SOP8
备注: 内置650V  MOS管 无补偿元件动态优 低功耗 效率85%左右。
线补:
频率:
限流:
OCP/OVP:
OTP:
MOS:
工作模式: 六级能效
封装: SOP8
备注: 内置650V  MOS管 无补偿元件动态优 低功耗 效率85%左右。
详细介绍

概述


CX7509 是一颗电流模式 PWM 控制芯片,内置 650V 高压功率 MOSFET,应用于功率在 18W 以内的方案。CX7509 在 PWM 模式下工作于固定开关频率,这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时,工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。

CX7509 在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路,当电路工作于大占空比时,避免次谐波振荡的发生,改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时(Leading-edge blanking time),消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。CX7509 采用了抖频技术,能够有效改善系统的 EMI 性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上,在工作时可以避免系统产生噪音。CX7509 内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(VDD OVP),VDD 过压箝位,欠压保护(UVLO),过温保护(OTP)等,通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控制。


特点


■ 全电压范围(90Vac-265Vac)输入时待机功耗小于 100mW

■ 内置 650V 高压功率管

■ 4ms 软启动用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力

■ 抖频功能,改善 EMI 性能

■ 跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗

■ 无噪声工作

■ 固定 65KHz 开关频率

■ 内置同步斜坡补偿

 低启动电流,低工作电流

■ 内置前沿消隐(LEB)功能

■ 过载保护(OLP),逐周期限流保护(OCP)

■ VDD 过压保护(VDD OVP),欠压保护(UVLO),VDD 电压箝位

■ 过温保护(OTP)

■ SOP8 无铅封装


应用范围


■ 充电器

■ PDA、数码相机、摄像机电源适配器

■ 机顶盒电源

■ 开放框架式开关电源

■ 个人电脑辅助电源


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