3400使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。
RDS（开启）<30mΩ@ VGS = 10V
RDS（开启）<40mΩ@ VGS = 4.5V
一般特征:
Trench Power LV MOSFET技术
高密度电池设计，低RDS（ON）
高速切换
应用:
电池保护
负荷开关
电源管理