工厂优势供应威兆中低压VS3618AE单B沟道MOS系列,VS3618AE/3075采用台湾晶圆，工厂直销，省去中间商赚差价！提供VS3618AE中文规格书，VS3618AE样品申请与技术支持！
威兆VS3618AE是一颗单NMOS，耐压30V，导阻6mΩ。VS3618AE针对大功率无线快充充电器市场，电池保护、无线充线圈驱动专用。
3075：N沟道增强型MOSFET
3075采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个该器件适合用作负载开关或PWM应用。
RDS（ON）<8mΩ@ VGS = 4.5V
RDS（ON）<5mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
应用：
PWM应用
负载开关
电源管理
![3075]( "3075")
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