3075：N沟道增强型MOSFET
3075采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个该器件适合用作负载开关或PWM应用。
RDS（ON）<8mΩ@ VGS = 4.5V
RDS（ON）<5mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
应用：
PWM应用
负载开关
电源管理