工厂优势供应威兆中低压VS3618AE单N沟道MOS系列,VS3618AE/3075采用台湾晶圆,工厂直销,省去中间商赚差价!提供VS3618AE中文规格书,VS3618AE样品申请与技术支持!
威兆VS3618AE是一颗单NMOS,耐压30V,导阻6mΩ。VS3618AE针对大功率无线快充充电器市场,电池保护、无线充线圈驱动专用。
3075:N沟道增强型MOSFET
3075采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个该器件适合用作负载开关或PWM应用。
RDS(ON)<8mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<5mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
应用:
PWM应用
负载开关
电源管理
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