随着各大手机和笔电厂商相继入局，氮化镓快充已逐渐成为一种行业趋势。高频、高效且能够实现“小冰块”般小体积充电器特性的PD快充方案当然非合封氮化镓/集成GaN MOS功能的GaN解决方案莫属了。45W、65W及以上功率段快充电源凭借着其小体积、低发热等优势成为了PD快充行列里的新宠。针对消费类快充电源市场的应用需求，诚芯微相继推出多款合封氮化镓芯片，覆盖20W、45W、65W多功率段，电源厂商可根据实际需求进行选择。

  诚芯微推出的多款氮化镓电源芯片，均采用QR架构设计，可以满足20W-65W的USB PD快充电源设计需求。

   CX75GD080BL是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于27W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。

  CX75GD080BL这款芯片内部集成了650V/800mΩ导阻的GaN HEMT，逻辑控制器，GaN驱动器，采用反激方式，采用SOP-8L封装，输出功率20W，最高工作频率200KHz。

具体参数：

SSR：CX75GD080BL

SR:CX7538BS

协议芯片：CX2919AC/CX2920AC

输入电压:90-265V    

USB-C单口输出

5V3A,9V2.22A,12V1.67A 3.3-11V 1.8A （20W Max）

USB-A单口输出

5V3A,9V2A,12V1.5A 20W Max

最大效率:91%

PCB尺寸：38*34*19mm

功率密度：0.81W/cm3

  诚芯微合封20W氮化镓快充电源方案采用CX75GD080BL初级合封氮化镓芯片，配合CX7538BS同步整流控制器和3419同步整流管，由CX2919AC/CX2920AC协议芯片进行输出电压控制。电源采用简单高效的反激拓扑，非常适合小功率的电源方案使用。

  CX75GE030DI是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于36W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。

  CX75GD025E是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于45W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。

  CX75GD025E这款芯片内部集成了650V/250mΩ导阻的GaN HEMT，逻辑控制器，GaN驱动器，采用反激方式，采用ESOP-10W封装，输出功率45W，最高工作频率200KHz。

具体参数：

SSR：CX75GD025E

SR:CX7601

协议芯片：CX2919C

输入电压:90-265V    

C单口输出:5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V2.25A 3.3-11V 3A

45W Max

最大效率:92%

PCB尺寸：42.5*36.4*22mm

功率密度：1.32W/cm3

  CX75GD015E是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于65W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。

  CX75GD015E这款芯片内部集成了650V/150mΩ导阻的GaN HEMT，逻辑控制器，GaN驱动器，采用反激方式，采用ESOP-10W封装，输出功率65W，最高工作频率200KHz。

具体参数：

SSR：CX75GD015E

SR:CX7601

协议芯片：CX2911

USB-C1单口输出:  5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V3.25A

3.3-21V 3A  65W Max

USB-C2单口输出: 5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V3.25A

3.3-21V 3A 65W Max

USB-A单口输出: 5V3A,9V3A,12V2.5A,20V1.5A 30W Max

USB-C1+USB-C2输出：45W+20W

USB-C1+USB-A输出：45W+18W

USB-C2+USB-A输出：15W MAX

最大效率:94%

PCB尺寸：53.5*52*21mm

功率密度：1.11W/cm3

 诚芯微推出的多款合封氮化镓芯较于传统的氮化镓快充方案（控制器+驱动器+GaN功率器件等），其合封氮化镓方案电路设计具有简洁高效，方案具有小体积、高性价比等特点。一颗芯片即可完成原有三颗芯片的功能，有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，使电源芯片外围器件数量大幅降低，提升功率密度和效率的同时，还可节约成本、有效缩短产品生产周期。